به گزارش سرويس فناوري اطلاعات مشرق، توشيبا اعلام کرد توليد انبوه نسل جديد حافظه فلش NAND را با فناوري پردازش 24 نانومتري آغاز کرده است. استفاده از اين فناوري باعث شده است تا توشيبا بتواند کوچکترين چيپ حافظه را با تراکم بسيار بالا بسازد؛ بطوري که اين تراکم در چيپ‌هاي جديد به 2 بيت در هر سلول رسيده است.
اين تراکم توشيبا را قادر ساخته است تا 8 گيگابايت اطلاعات را تنها در يک چيپ ذخيره کند.
توشيبا توانسته است اين فناوري را با فناوري DDR همراه کند که افزايش سرعت در خواندن و نوشتن را تا 2 برابر سرعت فعلي در پي خواهد داشت.
اين شرکت در تلاش است تا بتواند به تراکم بالاتري دست يابد. بنابر اعلام رسمي توشيبا توليدات بعدي، با تراکم 3 بيت در هر سلول ساخته خواهد شد. اين ميزان تراکم، توشيبا را به قدرت بلامنازع عرصه حافظه‌هاي NAND تبديل خواهد کرد.
اين شرکت هم‌اکنون حافظه مورد نياز براي استفاده در گوشي‌هاي هوشمند، رايانه‌هاي لوحي و دوربين‌هاي ديجيتال را تأمين مي‌کند. بسياري از اين محصولات توانايي ذخيره و پخش فيلم‌هاي HD را دارا مي‌باشند.